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对苯二甲酸表面修饰多壁碳纳米管的研究
选用苯二甲酸(TPA)为改性剂,通过酯化反应对多壁碳纳米管(MWNT)进行了表面修饰,讨论了MWNT的用量、反应温度及反应时间对修饰效果的影响,通过红外光谱(IR)和扫描电镜(SEM)表征了样品的形貌与结构。结果表明,MWN
2012年05月28日更新
混杂功能化多壁碳纳米管/环氧树脂复合材料的制备及性能
对多壁碳纳米管(MWCNTs)分别进行共价、非共价和混杂功能化改性,然后采用溶液共混法,将三种功能化类型的MWCNTs按不同质量分数分别加入环氧树脂(EP)制备MWCNTs/EP复合材料。通过拉伸试验和热重分析,研究MWCN
2012年05月28日更新
碳纳米管改性聚氨酯复合材料
用原位聚合法制备两组聚氨酯(PUR)/碳纳米管(CNTs)复合材料。一组是在超声波作用下将CNTs直接和PUR复合;另一组是将硅烷偶联剂处理的CNTs在超声波作用下与PUR原位聚合制备PUR/CNTs复合材料。探讨了CNTs
2012年05月28日更新
聚乙烯醇水溶液对多壁碳纳米管分散性的研究
采用超声波辅助溶液共混的方法,将多壁碳纳米管(MWNTs)分散在聚乙烯醇(PVA)溶液中,制备了MWNTs/PVA混合悬浮液。通过紫外可见分光光度计、电导率的变化和傅里叶红外光谱等对悬浮液的稳定性进行表征。结果表明,PVA对
2012年05月28日更新
碳纳米管修饰碳糊电极测定铜离子
制备了碳纳米管修饰碳糊电极,并研究了铜离子在该电极上的循环伏安行为,建立了一种测定铜离子的新方法。结果表明,在pH=3.4的B-R缓冲溶液中,该电极在铜离子标准溶液中富集Cu2+,在-0.072V处产生一个还原峰,回扫时在0
2012年05月28日更新
多壁碳纳米管修饰电极阳极溶出伏安法测定痕量银
利用多壁碳纳米管修饰玻碳电极,通过优化支持电解质及pH值、修饰剂用量、富集电位及时间等测定条件,建立了测定痕量银的线性扫描阳极溶出伏安分析法。在pH 4.0的NaAc-HAc缓冲液中,-0.10 V电位下富集5 min后,于
2012年05月25日更新
应用于LCD的平栅型碳纳米管场致发射显示器背光源的研制
采用磁控溅射、光刻和湿法刻蚀技术制备平栅型场发射阴极阵列,利用电泳将碳纳米管(CNT)发射源沉积在阴极表面,将阴极板和阳极板封接后制成51 cm单色平栅型CNT场致发射显示器(CNT-FED),作为背光源模板应用于49 cm
2012年05月24日更新
基于羧基化碳纳米管修饰电极伏安法同时测定痕量铟和铝
基于羧基化多壁碳纳米管(c-MWCNT),制备了可同时测定In3+和Al3+的新型碳材料修饰电极。利用循环伏安法(CV)和交流阻抗法(EIS)对此修饰电极进行了表征,用线性扫描伏安法(LSV)研究了In3+与Al3+共存于修
2012年05月24日更新
多壁碳纳米管修饰电极测定烟酰胺
研究多壁碳纳米管修饰电极的制备及其对烟酰胺的电催化检测。考察支持电解质种类、酸度和扫速等因素对烟酰胺响应的影响。在优化实验条件下,采用示差脉冲伏安法测定烟酰胺,其浓度在5.0×10-5～1.0×10-3mol/L范围内与其还
2012年05月24日更新
多壁碳纳米管改性InVO4光催化剂的制备及性能
以酸处理的多壁碳纳米管(MWCNTs)为载体,采用水热合成法制备了InVO4/MWCNTs光催化剂.利用场发射扫描电镜、X射线粉末衍射、BET-N2吸附、傅里叶红外光谱和紫外-可见漫反射吸收光谱等技术对样品的形貌、晶相组成、
2012年05月24日更新

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