B、N原子掺杂超长扶手椅型碳纳米管的GTOs-PBC方法研究

编号：NMJS02012

篇名：B、N原子掺杂超长扶手椅型碳纳米管的GTOs-PBC方法研究

作者：王艳丽； 黄英； 颜红侠； 张军平；

关键词：碳纳米管； 掺杂； 周期边界条件(PBC)； 超长； 能带；

机构： 西北工业大学理学院应用化学系空间应用物理与化学教育部重点实验室；

摘要： 使用密度泛函B3LYP/3-21G*方法,并用周期边界条件模型,计算了B、N掺杂纳米管的结构参数、掺杂能量、能带结构和能隙。研究表明,碳纳米管掺杂B、N原子后,能隙均增大,变为半导体。B原子掺杂的碳纳米管具有直接带隙,而N原子掺杂则具有间接带隙,B掺杂的(66,)和(9,9)管以及N掺杂的(6,6)和(9,9)管的能隙分别为0.834、0.990、0.547和0.422eV。