电泳法制备碳纳米管冷阴极及其场发射特性研究

编号：NMJS01345

篇名：电泳法制备碳纳米管冷阴极及其场发射特性研究

作者：刘懿;

关键词：碳纳米管; 场发射; 电泳; 冷阴极;

机构： 电子科技大学;

摘要： 平板显示器是电视,电脑,手机以及一些移动终端的一个非常重要的部件。而当前平板显示器主要为LCD和LED,但他们的性能跟CRT还有差距,而随着真空微电子学的发展,FED(场发射平面显示器)的已经成功研制,并在性能上有明显的优势,但工艺复杂,生产成本过高,还未大规模应用。1991碳纳米管被发现,因其具有良好的导电性,较大的长径比,高的机械强度,稳定的化学性质,从而表现出良好的场发射性能,而热CVD(化学气相沉积)法实现了碳纳米管的大规模制备,使得碳纳米管成为FED阴极一个非常好的选择。因而本文一个主要的研究内容就是: 通过电泳的方法来制备FED用碳纳米管薄膜冷阴极,并通过对工艺条件的对比实验来优化电泳实验中电泳液配比,沉积基底,电泳电压,电泳时间等重要参数,来实现电泳沉积的薄膜一个相对较好的场发射性能。在优化结果条件下沉积多壁碳纳米管薄膜的阈值场为3.4v/um,最大电流密度为2mA/cm2,是能够满足FED对电流密度的要求的。 为了进一步提高沉积碳纳米管薄膜的场发射性能,我们对沉积的碳纳米管薄膜进行了退火处理,电流处理,等离子体处理等后处理实验,并对处理前后的薄膜做了场发射对比实验,结果表明三种方法...