电化学沉积锰修饰TiO2纳米管阵列的正交试验研究

编号：NMJS06265

篇名：电化学沉积锰修饰TiO2纳米管阵列的正交试验研究

作者：熊中平 ;司玉军 ;李敏娇 ;冯具平

关键词： TiO2 纳米管阵列 锰修饰 电化学沉积 光电响应

机构： 绿色催化四川省高校重点实验室,四川理工学院化学与制药工程学院,四川自贡643000

摘要： 用阳极氧化法在钛片表面制备空白TiO2纳米管阵列,用电化学阴极还原法在其表面沉积锰,通过正交试验考察沉积条件对锰修饰TiO2纳米管阵列光电响应的影响。结果表明,锰的表面修饰可以增强TiO2纳米管阵列对可见光的响应,在0.5 V（vs.SCE）的偏电压下,光电流显著增大。沉积时间和沉积电压是影响锰沉积的主要因素,锰沉积的最佳条件为：沉积时间30s、电压-2V、锰离子浓度10 mmol/L。