一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究

编号：NMJS04269

篇名：一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究

作者：雷达； 孟根其其格； 张荷亮； 智颖飙；

关键词：平行栅碳纳米管阵列； 悬浮球； 场增强因子； 接触电阻；

机构： 内蒙古大学鄂尔多斯学院；

摘要： 建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极,利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式.在此基础上,进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响.分析表明,碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳,靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大;除碳纳米管的长径比之外,栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用;接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流,而接触电阻高于80kΩ时器件对阳极驱动电压的要求更高.