微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性

编号：NMJS03790

篇名：微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性

作者：麻华丽； 张新月； 霍海波； 曾凡光； 王淦平； 向飞；

关键词：强流脉冲发射； 碳纳米管； 微立方阵列； 线性增加； 稳定性；

机构： 郑州航空工业管理学院数理系； 中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室；

摘要： 采用酞氰铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究。研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定。