钴离子(Co2+)掺杂TiO2纳米管阵列的光生阴极保护行为

编号：NMJS03394

篇名：钴离子(Co2+)掺杂TiO2纳米管阵列的光生阴极保护行为

作者：林成钢； 林泽泉； 李静； 林昌健；

关键词：TiO2纳米管阵列膜； 钴离子(Co2+)掺杂； 可见光； 阳极氧化； 光生阴极保护；

机构： 厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室；

摘要： 应用电化学阳极氧化法在纯钛箔表面构筑TiO2纳米管阵列膜,借助离子交换法对纳米管阵列膜作钴离子(Co2+)掺杂.扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)观察膜层的形貌和晶型,紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、光电化学分别测试Co2+掺杂TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为,考察Co2+掺杂量对TiO2纳米管阵列几何尺寸、形貌和光电性能的影响.结果表明,掺杂适量Co2+形成的杂化能级可有效窄化TiO2带隙宽度,并使光响应扩展至可见光区.Co2+掺杂TiO2纳米管阵列膜在400～650 nm波长范围有较强的光吸收,对403不锈钢光生阴极保护作用明显.