沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

编号：NMJS01656

篇名：沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

作者：席彩萍； 王六定； 王小冬； 李昭宁；

关键词：多壁碳纳米管； 沉积温度； PECVD；

机构： 西北工业大学应用物理系； 渭南师范学院；

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。