纳米金刚石掺混对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

编号：NMJS04659

篇名：纳米金刚石掺混对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

作者：潘金艳； 高云龙

关键词：场发射； 均匀性； 稳定性； 丝网印刷

机构： 集美大学信息工程学院； 厦门大学自动化系

摘要： 为了提高碳纳米管(CNT)阴极膜的场发射均匀性和稳定性,同时改善CNT膜的制作过程,本文提出一种掺混纳米金刚石(D)制作高性能丝网印刷CNT膜的方法.通过掺混碳相纳米金刚石,形成结构匹配的CNT/D复合膜,CNT膜内的间隙势垒减少,发射体分散更均匀,膜层与基底接触面积增加;同时,结合纳米金刚石的负电亲和势和场发射特性,可有效提高CNT阴极膜的导电性,增大有效发射体的密度.场发射特性测试表明CNT/D复合膜能得到1.89 V/μm的低开启电场,在2.8 V/μm场强下,场发射电流密度远高于普通CNT膜,达到463μA/cm~2,与普通CNT阴极膜相比,CNT/D复合膜的场发射稳定性显著提高,在400℃热处理后CNT/D膜激发阳极发光更均匀.