阵列碳纳米管薄膜厚度调控研究

编号：NMJS03426

篇名：阵列碳纳米管薄膜厚度调控研究

作者：马康夫1； 2； 付志兵2； 杨　曦2； 王朝阳2； 唐永建2；

关键词：阵列碳纳米管； 厚度； 生长速度；

机构： (1.西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳621010； 2.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳621900)；

摘要： 采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对薄膜生长厚度进行了系统研究。利用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对样品形貌以及结构进行了表征。结果发现,在相同的生长时间和一定的催化剂浓度范围内,阵列碳纳米管的薄膜厚度随催化剂浓度提高而增加;在生长时间相同时,阵列碳纳米管薄膜厚度随载气流速的增加而降低,且下降趋势近似为线性;随着生长时间的增长,阵列碳纳米管薄膜的厚度也随之增加,且在前60min生长速度最快达到24μm/min,60min之后生长速度减缓。