钯金属吸附对半导体性碳纳米管电输运的影响

编号：NMJS03365

篇名：钯金属吸附对半导体性碳纳米管电输运的影响

作者：赵华波； 王亮； 张朝晖；

关键词：单壁碳纳米管； 钯纳米颗粒； 导电原子力显微镜； 第一性原理计算；

机构： 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室；

摘要： 利用物理蒸发技术,在半导体性的碳纳米管上沉积钯金属,利用导电原子力显微镜检测钯吸附对碳纳米管电输运的影响.结果表明:沉积的钯在碳纳米管上形成纳米颗粒,随着钯颗粒密度的增加,半导体性碳纳米管逐渐向金属性转变.利用第一性原理计算了吸附有钯原子的半导体性单壁碳纳米管的能带结构.研究发现,钯的覆盖率越高,其禁带宽度越窄,直至为零,定性说明了实验结果的合理性.